IPW60R180P7XKSA1 دیتاشیت

IPW60R180P7XKSA1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPW60R180P7XKSA1
حجم فایل 87.924 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPW60R180P7XKSA1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPW60R180P7XKSA1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 72W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1081pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@280uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 180mΩ@10V,5.6A
  • Package: TO-247-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه